O fabricante alemão de semicondutores Infineon anunciou a 27 de outubro de 2026 que vai investir cerca de €1,1 mil milhões para actualizar o seu site de Villach, Áustria, e estabelecer aquilo que descreve como a primeira linha de fabrico em grande volume do mundo para semicondutores de potência em nitrureto de gálio (GaN) em wafers de 300 milímetros. A produção está prevista começar até ao final de 2027, com investimento e construção a estender‑se até 2034.
O projecto e cronograma
A Infineon afirmou que o investimento em Villach será implementado dentro de salas limpas existentes para que a capacidade possa ser expandida de forma eficiente, e que os wafers maiores de 300 mm produzem cerca de 2,3 vezes mais chips do que a produção em 200 mm — um factor chave de melhoria do custo por unidade à medida que o GaN passa para produção em grande escala. A empresa apontou centros de dados de IA, infra‑estrutura energética, e‑mobilidade e robótica como mercados‑alvo para os novos dispositivos GaN.
A Comissão Europeia confirmou a aprovação de até €319 milhões em auxílios estatais austríacos para o projecto ao abrigo do Ato dos Chips da União Europeia, dizendo que a medida pretende fortalecer a cadeia de valor dos semicondutores na UE e permitir uma capacidade de fabrico inédita para GaN de potência em wafers de 300 mm na Europa. A Comissão fixou a aprovação em 27 de outubro de 2026.
Porque é que o GaN importa para automóveis e IA
O GaN (nitrureto de gálio) é um material semicondutor de banda larga que consegue comutar e converter electricidade com perdas inferiores às do silício, permitindo sistemas de potência mais pequenos e eficientes. A Infineon destacou que os ganhos em eficiência e densidade de potência do GaN o tornam atractivo para electrónica de potência de veículos eléctricos, bem como para as fontes de alimentação de elevada potência utilizadas em centros de treino e inferência de IA. A empresa citou estudos de mercado que antecipam um forte crescimento da procura de GaN nos próximos anos.
