Njemački proizvođač čipova Infineon objavio je 27. listopada 2026. da će uložiti oko €1,1 milijardu kako bi unaprijedio svoje postrojenje u Villachu, Austrija, i uspostavio ono što naziva prvom svjetskom proizvodnom linijom visokih serija za poluvodiče od nitrida galija (GaN) na 300‑milimetarskim waferima. Proizvodnja je planirana da započne do kraja 2027., a ulaganje i izgradnja protezat će se do 2034.
Projekt i vremenski plan
Infineon je naveo da će se ulaganje u Villachu provesti unutar postojećih čistih prostorija (cleanroom) kako bi se kapacitet mogao efikasno proširiti, te da veći 300mm waferi daju otprilike 2,3 puta više čipova nego 200mm proizvodnja — što je ključni pokretač smanjenja troškova po jedinici kako GaN prelazi u velike serije. Tvrtka je navela centre za AI podatke, energetsku infrastrukturu, e‑mobilnost i robotiku kao ciljana tržišta za nove GaN uređaje.
Europska komisija potvrdila je odobrenje do €319 milijuna austrijske državne pomoći za projekt u okviru Europskog zakona o čipovima (European Chips Act), navodeći da je mjera namijenjena jačanju vrijednosnog lanca poluvodiča u EU i omogućavanju proizvodnog kapaciteta prve vrste za snage GaN na 300mm waferima u Europi. Komisija je odobrenje donijela 27. listopada 2026.
Zašto je GaN važan za automobile i AI
GaN (nitrid galija) je poluvodički materijal širokog zabranjenog pojasa koji može prekidati i pretvarati električnu energiju s manjim gubicima nego silicij, omogućujući manje i učinkovitije napajanja. Infineon je istaknuo da dobici u učinkovitosti i gustoći snage koje omogućuje GaN čine taj materijal privlačnim za snagu električnih vozila te za visokosnažna napajanja koja se koriste u centrima za treniranje i izvođenje AI modela. Tvrtka je citirala istraživanja tržišta koja očekuju snažan rast potražnje za GaN‑om u nadolazećim godinama.
