Il produttore tedesco di chip Infineon ha annunciato il 27 ottobre 2026 che investirà circa €1,1 miliardi per aggiornare il sito di Villach, in Austria, e istituire quella che definisce la prima linea di produzione ad alto volume al mondo per semiconduttori di potenza in nitruro di gallio (GaN) su wafer da 300 millimetri. La produzione è programmata per iniziare entro la fine del 2027, con investimenti e realizzazione che si estenderanno fino al 2034.

Il progetto e la tempistica

Infineon ha dichiarato che l’investimento a Villach sarà realizzato all’interno di camere bianche esistenti in modo da espandere la capacità in modo efficiente, e che i wafer più grandi da 300 mm producono circa 2,3 volte più chip rispetto alla produzione su 200 mm — un fattore chiave di miglioramento del costo unitario man mano che il GaN passa alla produzione di massa. L’azienda ha indicato i data centre per l’AI, le infrastrutture energetiche, l’e‑mobility e la robotica tra i mercati target per i nuovi dispositivi GaN.

La Commissione europea ha confermato l’approvazione di fino a €319 milioni di aiuti di Stato austriaci per il progetto ai sensi del Chips Act europeo, affermando che la misura è intesa a rafforzare la catena del valore dei semiconduttori nell’UE e a rendere possibile una capacità produttiva di prima‑classe per il GaN di potenza su wafer da 300 mm in Europa. La Commissione ha fissato l’approvazione il 27 ottobre 2026.

Perché il GaN è importante per auto e AI

Il GaN (nitruro di gallio) è un materiale semiconduttore a wide‑bandgap che può commutare e convertire elettricità con perdite inferiori rispetto al silicio, permettendo sistemi di potenza più piccoli e più efficienti. Infineon ha sottolineato che i guadagni in efficienza e densità di potenza offerti dal GaN lo rendono attraente per l’elettronica di potenza dei veicoli elettrici così come per gli alimentatori ad alta potenza usati nei centri di training e inferenza per l’AI. L’azienda ha citato ricerche di mercato che prevedono una forte crescita della domanda di GaN nei prossimi anni.