El fabricante de semiconductores alemán Infineon anunció el 27 de octubre de 2026 que invertirá alrededor de €1.100 millones para modernizar su planta de Villach (Austria) y establecer lo que denomina la primera línea de fabricación en el mundo en alto volumen para semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 milímetros. La producción está prevista para comenzar a finales de 2027, con la inversión y la construcción extendiéndose hasta 2034.

El proyecto y el calendario

Infineon indicó que la inversión en Villach se llevará a cabo dentro de salas limpias ya existentes para que la capacidad pueda ampliarse de forma eficiente, y que las obleas de 300 mm más grandes rinden aproximadamente 2,3 veces más chips que la producción de 200 mm —un factor clave para mejorar el coste unitario a medida que GaN pasa a producción masiva. La compañía señaló los centros de datos de IA, la infraestructura energética, la movilidad eléctrica y la robótica entre los mercados objetivo para los nuevos dispositivos GaN.

La Comisión Europea confirmó la aprobación de hasta €319 millones en ayudas estatales austríacas para el proyecto en el marco de la Ley de Chips de la UE, señalando que la medida pretende reforzar la cadena de valor de semiconductores en la UE y permitir una capacidad de fabricación pionera para GaN de potencia en obleas de 300 mm en Europa. La Comisión fijó la aprobación el 27 de octubre de 2026.

Por qué GaN importa para coches e IA

El GaN (nitruro de galio) es un material semiconductor de banda ancha que puede conmutar y convertir electricidad con menores pérdidas que el silicio, permitiendo sistemas de potencia más pequeños y eficientes. Infineon destacó que las ganancias en eficiencia y densidad de potencia de GaN lo hacen atractivo para la electrónica de potencia de vehículos eléctricos, así como para las fuentes de alimentación de alta potencia utilizadas en centros de entrenamiento e inferencia de IA. La compañía citó estudios de mercado que esperan un fuerte crecimiento de la demanda de GaN en los próximos años.