Alman yarıiletken üreticisi Infineon, 27 Ekim 2026 tarihinde Villach, Avusturya tesisini yükseltmek ve 300 milimetre wafer'lar üzerinde yüksek hacimli gallium nitride (GaN) güç yarıiletkenleri için dünyanın ilk üretim hattını kurmak amacıyla yaklaşık €1,1 milyar yatırım yapacağını duyurdu. Üretimin 2027 sonuna kadar başlaması planlanıyor; yatırım ve inşa çalışmaları 2034 yılına kadar sürecek.
Proje ve zaman çizelgesi
Infineon, Villach yatırımının mevcut temiz oda tesisleri içinde uygulanacağını; böylece kapasitenin verimli şekilde genişletilebileceğini ve daha büyük 300mm wafer'ların 200mm üretime göre yaklaşık 2,3 kat daha fazla çip sağladığını belirtti — bu, GaN yüksek hacme geçerken birim maliyet iyileştirmesinin önemli bir itici gücü. Şirket, yeni GaN aygıtlarının hedef pazarları arasında yapay zeka veri merkezleri, enerji altyapısı, e-mobilite ve robotik olduğunu açıkladı.
Avrupa Komisyonu, projenin Avrupa Chips Act kapsamında Avusturya tarafından sağlanacak azami €319 milyon devlet desteğini onayladığını teyit etti ve bu tedbirin AB yarıiletken değer zincirini güçlendirmeyi ve Avrupa'da 300mm wafer'lar üzerinde güç GaN için ilk-of-its-kind üretim kapasitesini mümkün kılmayı amaçladığını belirtti. Komisyon onayı 27 Ekim 2026'da verildi.
GaN'in otomotiv ve yapay zekâ için önemi
GaN (galyum nitrür), elektriği silikonunkine göre daha düşük kayıpla anahtarlayıp dönüştürebilen geniş bant aralıklı bir yarıiletken malzemedir; bu da daha küçük, daha verimli güç sistemlerine olanak tanır. Infineon, GaN'den sağlanan verimlilik ve güç yoğunluğu kazanımlarının elektrikli araç güç elektroniği ile yapay zekâ eğitim ve çıkarım merkezlerinde kullanılan yüksek güçlü beslemeler için çekici hâle getirdiğini vurguladı. Şirket, önümüzdeki yıllarda GaN talebinde güçlü bir büyüme bekleyen pazar araştırmalarına atıfta bulundu.
