Немецкий производитель микрочипов Infineon объявил 27 октября 2026 года о намерении инвестировать около €1,1 млрд в модернизацию площадки во Виллахе, Австрия, и создать то, что компания называет первой в мире линией серийного производства силовых полупроводников на базе нитрида галлия (GaN) на 300‑миллиметровых пластинах. Запуск производства запланирован до конца 2027 года, при этом инвестирование и строительные работы продолжатся до 2034 года.
Проект и график работ
Infineon заявил, что инвестиции во Виллахе будут реализованы внутри существующих чистых помещений, чтобы обеспечить эффективное расширение мощностей, и что большие 300‑мм пластины дают примерно в 2,3 раза больше кристаллов по сравнению с производством на 200‑мм — ключевой фактор снижения себестоимости при переходе GaN к массовому выпуску. Компания назвала центры обработки данных для ИИ, энергетическую инфраструктуру, электромобильность и робототехнику среди целевых рынков для новых GaN‑устройств.
Европейская комиссия подтвердила одобрение государственной помощи Австрии в размере до €319 млн для проекта в рамках Европейского закона о полупроводниках (EU Chips Act), отметив, что мера направлена на укрепление цепочки создания стоимости полупроводников в ЕС и позволит обеспечить уникальную производственную мощность по выпуску силового GaN на 300‑мм пластинах в Европе. Комиссия приняла решение об одобрении 27 октября 2026 года.
Почему GaN важен для автомобилей и ИИ
GaN (нитрид галлия) — это полупроводниковый материал с широкой запрещённой зоной, который может переключать и преобразовывать электричество с меньшими потерями по сравнению с кремнием, что позволяет создавать более компактные и эффективные силовые системы. Infineon подчеркнул, что прирост эффективности и плотности мощности у GaN делает его привлекательным для силовой электроники электромобилей, а также для высокомощных источников питания, используемых в центрах обучения и инференса ИИ. Компания сослалась на рыночные исследования, прогнозирующие сильный рост спроса на GaN в ближайшие годы.
