德国芯片制造商Infineon于2026年10月27日宣布，将投资约11亿欧元升级其位于奥地利维拉赫的生产基地，并建立公司所称的全球首条用于300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产线。计划于2027年底前开始生产，投资与建厂工作将持续至2034年。
项目与时间表
Infineon表示，维拉赫的投资将在现有洁净室内实施，以便高效扩充产能；较大的300mm晶圆相比200mm生产约可产出2.3倍芯片——这是GaN向高产量转移时单位成本改善的关键驱动因素。公司列举了人工智能数据中心、能源基础设施、电动出行和机器人等作为新GaN器件的目标市场。
欧洲委员会已确认在欧盟芯片法案框架下批准对该项目提供最多3.19亿欧元的奥地利国家援助，称该措施旨在强化欧盟半导体价值链，并在欧洲实现首个用于300mm晶圆的功率GaN制造能力。委员会于2026年10月27日作出该批准。
为什么GaN对汽车和人工智能很重要
GaN（氮化镓）是一种宽禁带半导体材料，其开关与电能转换损耗低于硅，能够实现更小、更高效的电力系统。Infineon强调，GaN在效率和功率密度方面的提升使其在电动汽车动力电子以及用于AI训练与推理中心的大功率电源中具有吸引力。公司引用的市场研究预计未来几年GaN需求将强劲增长。
这对市场意味着什么
对于欧洲汽车制造商和一线供应商而言，维拉赫扩产加强了下一代功率半导体的本地供应链，这些半导体可能出现在牵引逆变器、车载充电器和DC‑DC转换器中，随着GaN设计从原型试产转向批量供应。将300mm GaN引入工业规模应能降低单片成本，并使高效GaN器件更易通过汽车项目的认证，从而加速其在德国和奥地利等地电动出行平台中的应用。Infineon还表示，维拉赫站点目前约有4,800名员工，凸显了原始设备制造商和供应商在认证与支持方面所依赖的本地制造基础。
